一种3D堆叠的半导体器件及其制造方法、电子设备，3D堆叠的半导体器件包括：分布于不同层、沿着垂直于衬底的方向堆叠且周期性分布的多个存储单元，每一层包括沿第一方向和第二方向阵列分布的多个存储单元；每个存储单元包括一个晶体管和一个电容器；晶体管包括沿第二方向延伸的柱和环绕柱侧壁的栅电极，柱包括第一导电区域、半导体区域和第二导电区域半导体区域包含柱的主体材料，第一导电区域和第二导电区域分别包含第一掺杂材料和第二掺杂材料；第一掺杂材料在第一导电区域中均匀分布，第二掺杂材料在二导电区域中均匀分布。本公开实施例的3D堆叠的半导体器件不存在因制作Si/SiGe堆叠导致的外延缺陷，器件的可靠性和集成度较高。