本申请实施例提供一种半导体器件及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域，用于提升半导体器件的导通特性和击穿特性。半导体器件包括半导体衬底、位于半导体衬底的第一表面内的第一阱区和第二阱区以及位于半导体衬底的第一表面上的栅极。其中，第一阱区和第二阱区之间具有间隔，栅极位于第一阱区和第二阱区之间。第一阱区和第二阱区中的至少一个阱区包括沿第一方向依次设置的第一阱段和第二阱段，第一阱段设置于第二阱段靠近栅极一侧，且第一阱段的掺杂浓度小于第二阱段的掺杂浓度。第一方向与半导体衬底表面平行。