发明公开
- 专利标题： 用于自给能中子敏感元件的钴丝制备方法
-
申请号： CN202410352195.X申请日： 2024-03-26
-
公开(公告)号： CN118272678A公开(公告)日： 2024-07-02
- 发明人: 王焱辉 , 唐会毅 , 冯邻江 , 万伟建 , 谢勇 , 王云春 , 吴保安 , 肖雨辰 , 孙玲
- 申请人： 重庆材料研究院有限公司
- 申请人地址： 重庆市北碚区蔡家岗镇嘉德大道8号
- 专利权人： 重庆材料研究院有限公司
- 当前专利权人： 重庆材料研究院有限公司
- 当前专利权人地址： 重庆市北碚区蔡家岗镇嘉德大道8号
- 代理机构： 重庆志合专利事务所
- 代理商 胡荣珲
- 主分类号： C22C1/02
- IPC分类号： C22C1/02 ; C22C19/07 ; B22F1/145 ; B22F9/04 ; C22C1/06 ; C22F1/10 ; C25F3/22 ; B21C37/04
摘要：
本发明涉及一种用于自给能中子敏感元件的钴丝的制备方法，包括以下步骤，1)钴粉还原处理；2)混料及压制成型；3)真空感应熔炼；4)锻造、旋锻、拉拔；5)电解抛光、退火。采用本发明所述方法能够制备出直径为1.00mm～2.00mm的钴丝，钴丝纯度≥99.95％，钴丝中硼、镉、铬、铜、硅不耐辐照的每个元素含量≤30ppm，钴丝椭圆度的精度达到±0.003mm，表面粗糙度≤Ra1.6μm，抗拉强度≥900MPa，延伸率≥6％。
