一种三维(3D)存储器器件包括存储器阵列器件、外围器件、蚀刻停止层和背面栅极线缝隙。该存储器阵列器件包括正面和背面、多个存储器串以及位于阶梯结构中的耦接至所述多个存储器串的多条字线。该外围器件位于该存储器阵列器件的正面之上。该蚀刻停止层位于存储器阵列器件和外围器件之间。该背面栅极线缝隙穿过存储器阵列器件的背面延伸至该蚀刻停止层。该背面栅极线缝隙包括导电栅极线层和绝缘栅极线层。该3D存储器器件可以提高制造效率，提高成品率，减小热应力，降低氟污染，增大叠加窗口并且降低叠加误差。