发明公开
- 专利标题： 三维（3D）存储装置及制造方法
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申请号： CN202211651307.9申请日： 2022-12-21
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公开(公告)号： CN118234236A公开(公告)日： 2024-06-21
- 发明人: 杨益 , 高庭庭 , 刘小欣 , 袁伟 , 杜小龙 , 孙昌志 , 宋志昊 , 黎姗 , 夏志良 , 霍宗亮
- 申请人： 长江存储科技有限责任公司
- 申请人地址： 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
- 专利权人： 长江存储科技有限责任公司
- 当前专利权人： 长江存储科技有限责任公司
- 当前专利权人地址： 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
- 代理机构： 北京永新同创知识产权代理有限公司
- 代理商 刘景峰; 于景辉
- 主分类号： H10B43/20
- IPC分类号： H10B43/20 ; H10B43/35 ; H10B43/40
摘要：
公开了一种用于制造3D存储装置的方法，包括：在衬底之上形成牺牲层，在牺牲层之上形成第一电介质堆叠体，形成沟道孔结构，形成暴露牺牲层的开口，去除牺牲层以产生空腔并暴露沟道孔结构的一部分，形成半导体层以填充空腔，用填充结构填充开口，并在填充结构之上形成第二电介质堆叠体。所述开口是为栅缝隙(GLS)结构制作的。
