Invention Publication
- Patent Title: 一种预应力增强的Si3N4陶瓷基板及其制备方法
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Application No.: CN202410260757.8Application Date: 2024-03-07
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Publication No.: CN118125833APublication Date: 2024-06-04
- Inventor: 田鑫 , 徐涛 , 张莹 , 王婷婷 , 赵广强
- Applicant: 辽宁伊菲科技股份有限公司
- Applicant Address: 辽宁省葫芦岛市东戴河新区A区燕山路东段11号
- Assignee: 辽宁伊菲科技股份有限公司
- Current Assignee: 辽宁伊菲科技股份有限公司
- Current Assignee Address: 辽宁省葫芦岛市东戴河新区A区燕山路东段11号
- Agency: 安徽中辰臻远专利代理事务所
- Agent 李星辰
- Main IPC: C04B35/596
- IPC: C04B35/596 ; C04B35/622 ; C04B35/76

Abstract:
本发明公开了一种预应力增强的Si3N4陶瓷基板的制备方法,具体步骤如下:将Si3N4原料分成两研磨两种不同粒径;将金属氧化烧结助剂与一种Si3N4混合,制成Si3N4陶瓷基片;Si3N4陶瓷基片上冲压细孔阵列;带孔Si3N4陶瓷基片上表面铺设金属网;将金属氧化烧结助剂与另一种Si3N4混合,在一个模具盒内底部铺设在Si3N4陶瓷基片,依次完成多块铺设金属网的Si3N4陶瓷基片的叠加,烧结制成增强的Si3N4陶瓷基板,采用上述备方法制成预应力增强的Si3N4陶瓷基板。本发明使得Si3N4陶瓷基片整体强度进一步变大,由于成叠形成基板,极大降低裂纹以及裂痕的出现。设置的金属网增加了预应力,再加混合料B形成包覆,增强设计,使得Si3N4陶瓷基片强度提高一倍以上,检测弯曲强度可高达700‑800MPa,可实现量产化。
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