发明公开
- 专利标题: 一种具有SiO2薄膜的碲化镉发电玻璃及其制备方法
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申请号: CN202311791502.6申请日: 2023-12-25
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公开(公告)号: CN117712192A公开(公告)日: 2024-03-15
- 发明人: 陈冬冬 , 赵磊 , 王晓峰 , 何刘 , 潘岭峰 , 黄永忠
- 申请人: 成都莱普科技股份有限公司
- 申请人地址: 四川省成都市高新区安泰七路66号9号厂房1-3层
- 专利权人: 成都莱普科技股份有限公司
- 当前专利权人: 成都莱普科技股份有限公司
- 当前专利权人地址: 四川省成都市高新区安泰七路66号9号厂房1-3层
- 代理机构: 北京卓岚智财知识产权代理有限公司
- 代理商 田野
- 主分类号: H01L31/0216
- IPC分类号: H01L31/0216 ; C03C17/25 ; H01L31/18 ; H01L31/068
摘要:
本申请公开了一种具有SiO2薄膜的碲化镉发电玻璃及其制备方法,属于发电玻璃技术领域。该制备方法包括:在碲化镉发电玻璃母材的向光面上涂覆由纳米SiO2颗粒组成的悬浊液,形成SiO2涂层;之后利用热板对碲化镉发电玻璃母材进行烘干;随后采用CO2激光器,对碲化镉发电玻璃母材的SiO2涂层表面进行整片扫描,扫描过程中控制SiO2涂层处的温度为400‑450℃,使SiO2涂层固化形成厚度为90‑150nm的SiO2薄膜。本申请通过采用CO2激光扫描的方式在玻璃表面固化一层SiO2薄膜的方式,不但能够有效避免玻璃背光面的电路在氧化硅固化过程中造成损伤,而且还能有效降低发电玻璃的反射率,提高其光电转换效率。
IPC分类: