一种环栅晶体管、其制备方法、CMOS晶体管及电子设备，其中，环栅晶体管(100)包括衬底(01)以及位于衬底(01)上的鳍形结构(02)、源极(031)、漏极(032)、内部隔离部(04)和栅极结构(05)。由于内部隔离部(04)是通过对源极(031)靠近侧墙(051)一侧以及对漏极(032)靠近侧墙(051)一侧进行氧化形成，可以使源极(031)和漏极(032)在外延生长时是沿着牺牲层(022)和沟道层(021)的暴露面开始，因此源极(031)和漏极(032)的初始生长面是一连续面，相比源极(031)和漏极(032)的初始生长面为多个间断面，可以生长出晶体质量较好的源极(031)和漏极(032)，对于P型环栅晶体管，源极(031)和漏极(032)的应变就不会驰豫掉，进而对沟道形成足够的压应变。对于N型环栅晶体管，外延生长的源极(031)和漏极(032)也不会影响晶体管的性能。