本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其是涉及一种提高异质结电池透明导电薄膜性能方法及异质结电池，方法包括制备异质结电池基底层，其中，异质结电池基底层包括晶硅衬底、以及在晶硅衬底两侧依次沉积的本征非晶硅层、N型/P型掺杂非晶硅层；在异质结电池基底层的正反表面分别沉积透明导电薄膜层；采用波长范围为100nm～300nm、脉冲频率范围为100Hz～1000Hz的UV光源对透明导电薄膜层进行光照结晶处理，其中，UV光源为深紫外脉冲光源，通过该方法在常温下可以实现对透明导电薄膜层的薄膜性能进行提升，避免了由于高温导致对其他晶硅层造成破坏。