本发明涉及半导体领域，针对目前制备四元类金刚石结构化合物尺寸、性能受限的问题，提供一种四元铜基类金刚石半导体晶体的制备方法，步骤为1高纯单质经过熔融反应得到类金刚石Cu2XYZ4晶体原料；2将晶体原料放入石英坩埚，抽真空密封；3将石英坩埚放入垂直生长炉内，石英坩埚依次经过高温熔化区、中温生长区和低温退火区，得到产物；所述高温熔化区的温度为950‑1200℃、中温生长区的温度为750‑950℃、低温退火区的温度为450‑750℃；中温生长区的温度梯度为10‑30℃/cm，石英坩埚在中温生长区的移动速率为0.2‑3mm/h。本发明可以获得大尺寸、性能优异的四元铜基类金刚石半导体晶体，而且工艺简单。