本申请公开了芯片、制备方法及电子设备，包括：衬底以及设置于衬底上的晶体管。晶体管包括：沟道结构、阻挡层、栅极、源极以及漏极。沟道结构包括沟道区和离子注入区，阻挡层设置于沟道结构背离衬底的一侧，栅极设置于阻挡层背离沟道结构的一侧，源极设置于沟道结构背离衬底的一侧，漏极设置于沟道结构背离衬底的一侧。源极设置于沟道区背离离子注入区的一侧，漏极覆盖离子注入区的至少部分区域。以及，栅极分别与沟道结构、源极以及漏极电性绝缘。本申请实施例中，源极的材料为狄拉克材料，具有更局域的电子密度分布和更短的热尾，即可降低器件的SS数值，提升器件的开态电流。