本公开提供一种具有不同长度与位面的侧向延伸电容器的存储器元件。该存储器元件包括一半导体基底；一第一隔离层，设置在该半导体基底上；一第一下电极，设置在该第一隔离层上；一第一介电层，设置在该第一下电极上；一第一凹陷，延伸经过该第一介电层；一第一电容器介电质，共形于该第一凹陷并接触该第一下电极；以及一第一上电极，设置在该第一凹陷内并被该第一电容器介电质所围绕，其中该第一电容器介电质与该第一上电极在该第一下电极与该半导体基底上侧向延伸。