发明公开
- 专利标题: 半导体装置、半导体晶片、存储装置及电子设备
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申请号: CN202311426812.8申请日: 2018-06-21
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公开(公告)号: CN117276353A公开(公告)日: 2023-12-22
- 发明人: 山崎舜平 , 木村肇
- 申请人: 株式会社半导体能源研究所
- 申请人地址: 日本神奈川
- 专利权人: 株式会社半导体能源研究所
- 当前专利权人: 株式会社半导体能源研究所
- 当前专利权人地址: 日本神奈川
- 代理机构: 中国贸促会专利商标事务所有限公司
- 代理商 程晨
- 优先权: 2017-125011 2017.06.27 JP
- 主分类号: H01L29/792
- IPC分类号: H01L29/792 ; G11C16/04 ; H01L27/088 ; H01L21/8234 ; H01L21/768 ; H01L29/788 ; H01L29/786 ; H10B43/27 ; H10B41/27 ; H10B43/10
摘要:
提供一种半导体装置、半导体晶片、存储装置及电子设备。一种包括第一至第四绝缘体、第一导电体、第二导电体及第一半导体的半导体装置,其中第一半导体包括第一面及第二面。第一导电体的第一侧面在于第一半导体的第一面,第一绝缘体的第一侧面在于第一导电体的第二侧面。第二绝缘体在于包括第一绝缘体的第二侧面及顶面、第一导电体的顶面、第一半导体的第二面的区域。第三绝缘体在于第二绝缘体的形成面,第四绝缘体在于第三绝缘体的形成面。第二导电体在于形成有第四绝缘体的区域中的与第一半导体的第二面重叠的区域。第三绝缘体具有储存电荷的功能。通过对第二导电体供应电位,隔着第二绝缘体在第一半导体的第二面和第三绝缘体之间引起隧道电流。
IPC分类: