发明公开
- 专利标题: 半导体版图结构及半导体测试结构
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申请号: CN202210382204.0申请日: 2022-04-12
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公开(公告)号: CN116936568A公开(公告)日: 2023-10-24
- 发明人: 王翔宇 , 李宁
- 申请人: 长鑫存储技术有限公司
- 申请人地址: 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
- 专利权人: 长鑫存储技术有限公司
- 当前专利权人: 长鑫存储技术有限公司
- 当前专利权人地址: 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
- 代理机构: 上海晨皓知识产权代理事务所
- 代理商 成丽杰
- 主分类号: H01L27/02
- IPC分类号: H01L27/02 ; H01L23/544 ; H01L21/66 ; G01R31/26
摘要:
本公开实施例涉及半导体技术领域,特别涉及一种半导体版图结构及半导体测试结构,半导体版图结构包括:有源层,有源层包括第一有源区和与第一有源区相邻设置的第二有源区;第一有源区包括多个间隔设置的第一晶体管区,第二有源区包括多个间隔设置的第二晶体管区,相邻的第一晶体管区对应的有源层相互分离;栅极层,位于有源层上方,包括至少一条沿第一方向延伸的第一栅极结构,以及在第一方向上间隔设置的多个第二栅极结构,第一栅极结构和第二栅极结构相邻设置,第一栅极结构对应于第一晶体管区,第二栅极结构对应于第二晶体管区。本公开实施例有利于在利用半导体版图结构制备半导体测试结构后,改善半导体测试结构的寄生漏电较大的问题。
IPC分类: