本申请提供了一种铁电存储器，包括：衬底；字线，源极线，位线和控制线；在竖直方向上堆叠的第一铁电电容、第一晶体管和第二晶体管；第一铁电电容包括第一电极和第二电极；第二电极在第一铁电电容的下端和/或上端暴露；第一晶体管的第一极与源极线连接，第二极与位线连接，栅极与第二电极接触；第一晶体管的沟道层沿竖直方向设置，第一晶体管的栅极形成第一晶体管的上端和/或下端；第二晶体管的栅极与控制线连接，第二极与位线连接，第一极与第二电极或第一晶体管的栅极接触；第二晶体管的沟道层沿竖直方向设置，第二晶体管的第一极形成第二晶体管的上端或下端。该铁电存储器具有较高的存储密度。