本发明公开了一种PECVD设备结构中的陶瓷环，涉及PECVD薄膜技术领域，包括气柜，所述气柜的下侧安装有顶板，顶板的下侧安装有匀气盘，匀气盘的下侧安装有泵环，泵环上设置有滑块，泵环的下侧设置有陶瓷环，陶瓷环的下侧安装有加热盘，加热盘的内部设置有内腔和外腔；气柜配合匀气盘来控制气体分散性和偏移，起到提高薄膜均匀性作用，使到达晶圆表面的垂直气体速度趋于均匀，且陶瓷环与排气环上均设置有排气孔，排气孔起到了排气的作用，且可以防止气体过度逃逸，上述结构通过对陶瓷环排气孔的位置和孔的密封的分布的调整，解决了气体流速不均匀，速度中心整体偏移，进而导致镀膜速率不同，厚度不均的现象。