Invention Publication
- Patent Title: 一种双频宽带高效率功率放大器及其设计方法
-
Application No.: CN202310735354.XApplication Date: 2023-06-20
-
Publication No.: CN116599474APublication Date: 2023-08-15
- Inventor: 刘强 , 刘旺 , 杜广星 , 李国林 , 魏正华
- Applicant: 湖南大学
- Applicant Address: 湖南省长沙市岳麓区麓山南路1号湖南大学
- Assignee: 湖南大学
- Current Assignee: 湖南大学
- Current Assignee Address: 湖南省长沙市岳麓区麓山南路1号湖南大学
- Main IPC: H03F1/42
- IPC: H03F1/42 ; H03F1/56 ; H03F3/20 ; G06F30/367

Abstract:
本发明公开了一种双频宽带高效率功率放大器及其设计方法,其中放大管为基于SiC的宽带GaN射频功率晶体管,其特征在于:(1)提出了一种双频高效率负载/源阻抗牵引方法,用于功率放大器效率提升,简化了传统方法中先进行负载牵引,后设计谐波抑制网络和基波阻抗匹配网络的复杂流程;(2)提出了一种双频宽带复数阻抗到实数阻抗的匹配方法,该方法得到的所有设计参数满足Q=2的等Q圆条件,具有解析解,不需要进行调谐或者优化就能实现双频宽带性能;本发明可以保证复数阻抗在匹配过程中电路的Q值小于2,不仅扩展了双频功率放大器的带宽,还能显著降低使用极高/极低特征阻抗值微带线的可能性。
Information query