发明公开
- 专利标题: 一种GaN功率放大器的负压保护电路
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申请号: CN202310773456.0申请日: 2023-06-28
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公开(公告)号: CN116505888A公开(公告)日: 2023-07-28
- 发明人: 陈欣然 , 葛俊吉 , 夏冰 , 徐永健
- 申请人: 江苏展芯半导体技术有限公司
- 申请人地址: 江苏省南京市雨花台区宁双路19号云密城1号楼1501-1504室
- 专利权人: 江苏展芯半导体技术有限公司
- 当前专利权人: 江苏展芯半导体技术有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省南京市雨花台区宁双路19号云密城1号楼1501-1504室
- 代理机构: 常州众慧之星知识产权代理事务所
- 代理商 郭云梅
- 主分类号: H03F1/30
- IPC分类号: H03F1/30 ; H03F3/20
摘要:
本发明公开了一种GaN功率放大器的负压保护电路,属于GaN功率放大器技术领域,GaN功率放大器的栅极连接线性稳压器的输出端,线性稳压器的输入端连接负电,GaN功率放大器的漏极连接第一开关管的源极,第一开关管的漏极连接第一电压;控制信号连接驱动器的输入端,驱动器的输出端连接第一开关管的栅极,驱动器的输入端连接第二开关管的漏极,第二开关管的源极接地,第二开关管的栅极连接正电,第二开关管的栅极连接第三开关管的第一端,第三开关管的第二端接地,第三开关管的第三端连接第一电阻的第一端,第一电阻的第二端连接负电。本发明一种GaN功率放大器的负压保护电路具有结构简单,易于实施,成本低的优点。
公开/授权文献
- CN116505888B 一种GaN功率放大器的负压保护电路 公开/授权日:2023-09-01