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公开(公告)号:CN116505888A
公开(公告)日:2023-07-28
申请号:CN202310773456.0
申请日:2023-06-28
申请人: 江苏展芯半导体技术有限公司
摘要: 本发明公开了一种GaN功率放大器的负压保护电路,属于GaN功率放大器技术领域,GaN功率放大器的栅极连接线性稳压器的输出端,线性稳压器的输入端连接负电,GaN功率放大器的漏极连接第一开关管的源极,第一开关管的漏极连接第一电压;控制信号连接驱动器的输入端,驱动器的输出端连接第一开关管的栅极,驱动器的输入端连接第二开关管的漏极,第二开关管的源极接地,第二开关管的栅极连接正电,第二开关管的栅极连接第三开关管的第一端,第三开关管的第二端接地,第三开关管的第三端连接第一电阻的第一端,第一电阻的第二端连接负电。本发明一种GaN功率放大器的负压保护电路具有结构简单,易于实施,成本低的优点。
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公开(公告)号:CN116505888B
公开(公告)日:2023-09-01
申请号:CN202310773456.0
申请日:2023-06-28
申请人: 江苏展芯半导体技术有限公司
摘要: 本发明公开了一种GaN功率放大器的负压保护电路,属于GaN功率放大器技术领域,GaN功率放大器的栅极连接线性稳压器的输出端,线性稳压器的输入端连接负电,GaN功率放大器的漏极连接第一开关管的源极,第一开关管的漏极连接第一电压;控制信号连接驱动器的输入端,驱动器的输出端连接第一开关管的栅极,驱动器的输入端连接第二开关管的漏极,第二开关管的源极接地,第二开关管的栅极连接正电,第二开关管的栅极连接第三开关管的第一端,第三开关管的第二端接地,第三开关管的第三端连接第一电阻的第一端,第一电阻的第二端连接负电。本发明一种GaN功率放大器的负压保护电路具有结构简单,易于实施,成本低的优点。
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