Invention Grant
- Patent Title: 存储器及其制造方法、电子设备
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Application No.: CN202310314393.2Application Date: 2023-03-28
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Publication No.: CN116367536BPublication Date: 2023-12-08
- Inventor: 艾学正 , 王祥升 , 王桂磊 , 赵超 , 戴瑾 , 桂文华 , 于伟
- Applicant: 北京超弦存储器研究院
- Applicant Address: 北京市大兴区北京经济技术开发区景园北街52幢5层501-12
- Assignee: 北京超弦存储器研究院
- Current Assignee: 北京超弦存储器研究院
- Current Assignee Address: 北京市大兴区北京经济技术开发区景园北街52幢5层501-12
- Agency: 华进联合专利商标代理有限公司
- Agent 成亚婷
- Main IPC: H10B12/00
- IPC: H10B12/00
Abstract:
本公开涉及一种存储器及其制造方法、电子设备，涉及半导体技术领域。该存储器包括晶体管、字线和位线。字线沿垂直衬底的方向延伸。晶体管包括位于所述字线侧壁的半导体层和设置在所述字线侧壁和所述半导体层之间的栅绝缘层。位线包括位线主体和对应于不同所述晶体管的不同第一分支。所述位线主体沿平行于所述衬底的第一方向延伸。所述第一分支朝向所述半导体层延伸，并与所述半导体层连接。本公开可以降低存储器的寄生电容，以进一步提升存储器性能。
Public/Granted literature
- CN116367536A 存储器及其制造方法、电子设备 Public/Granted day:2023-06-30
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