本公开提供了一种MRAM存储器的形成方法及MRAM存储器，涉及半导体技术领域，MRAM存储器的形成方法包括：提供硅衬底和多个图案化的复合层，第一沟槽贯穿复合层并延伸至硅衬底内第一深度；形成保护层，保护层在第一沟槽中形成狭缝；基于狭缝在硅衬底内分别形成沟槽，在每个沟槽内分别形成源线；基于狭缝形成隔离层；基于被图案化的复合层形成多个垂直环栅晶体管；在每个垂直环栅晶体管上与漏极连接的金属接触垫上，形成小于金属接触垫的顶面尺寸的底接触电极。在本公开中，通过减少底接触电极与垂直环栅晶体管的接触面积，以能够形成较小面积尺寸的磁性隧道结，相对增大磁性隧道结的密度，提高芯片的存储容量。