本公开提供了一种存储器的形成方法及存储器，涉及半导体技术领域，存储器的形成方法包括：提供基底，基底包括硅衬底以及设置在硅衬底上的未图案化的叠层；对叠层进行图案化处理形成多个第一沟槽，以隔离多个存储单元；第一沟槽中形成第一介质层；形成两个相对设置的内凹于硅衬底的侧壁的内凹沟槽；在每个内凹沟槽内分别形成源线，第一沟槽中形成第二介质层；基于被图案化的叠层，形成多个柱状半导体层；形成环绕覆盖在柱状半导体层的侧面的栅极。在本公开中，优先在较深的第一沟槽形成第一介质层，在第一沟槽的形成过程中只需对衬底进行刻蚀，刻蚀环境单一不复杂，降低了工艺难度，且金属杂质更少，提升了半导体的隔离效果。