Invention Grant
- Patent Title: 动态随机存储单元、存储器、存储装置及读取方法
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Application No.: CN202210880274.9Application Date: 2022-07-25
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Publication No.: CN116206643BPublication Date: 2024-03-15
- Inventor: 朱正勇 , 康卜文 , 赵超
- Applicant: 北京超弦存储器研究院
- Applicant Address: 北京市大兴区北京经济技术开发区景园北街52幢5层501-12
- Assignee: 北京超弦存储器研究院
- Current Assignee: 北京超弦存储器研究院
- Current Assignee Address: 北京市大兴区北京经济技术开发区景园北街52幢5层501-12
- Agency: 北京市立方律师事务所
- Agent 王存霞; 李新
- Main IPC: G11C11/401
- IPC: G11C11/401 ; G11C11/4063 ; G11C11/408 ; G11C11/4091 ; H10B12/00

Abstract:
本申请实施例提供了一种动态随机存储单元、存储器、存储装置及读取方法。该动态随机存储单元包括写入晶体管和读取晶体管,写入晶体管包括与写入字线电连接的第一主栅极、与写入位线电连接的第一极以及与存储节点电连接的第二极;读取晶体管包括与存储节点电连接的第二主栅极、与读取字线电连接的第三极和与读取位线电连接的第四极;写入晶体管和/或读取晶体管包括与存储节点电连接的背栅极。本实施例中,利用背栅极与主栅极、沟道等构成存储电容,利用存储电容的稳压特性提升存储节点的电位的稳定性;并且存储节点的电位的稳定性提升使得动态随机存储单元的刷新频率降低,从而降低存储装置的功耗。
Public/Granted literature
- CN116206643A 动态随机存储单元、存储器、存储装置及读取方法 Public/Granted day:2023-06-02
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