本发明涉及一种改善4H‑SiC MOSFET沟道载流子迁移率及栅极漏电的工艺方法，包括：采用N离子注入对MOSFET沟道进行注入；采用H2对SiC外延表面进行刻蚀；采用原子层淀积工艺在SiC外延表面形成Al2O3作为栅极氧化层；对栅极氧化层进行N2后氧化退火工艺。本发明的有益效果是：本发明形成的SiC/栅极氧化层界面粗糙度及界面态密度有所改善，同时避免了热氧化工艺引入的界面C团簇的问题，提高了沟道载流子的迁移率；此外，H2对SiC表面进行刻蚀，增强了SiC衬底对原子层淀积工艺中反应前驱物的化学吸附力，从而使得原子层淀积得到的栅极氧化物更加致密，改善了栅极漏电的情况。