发明授权
- 专利标题： 用于改进引脚可访问性的多位多高度单元
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申请号： CN202180055195.8申请日： 2021-08-04
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公开(公告)号： CN116057705B公开(公告)日： 2024-02-20
- 发明人: F·旺 , H·利姆 , 康相赫 , V·宝娜帕里 , S·阿罗拉
- 申请人： 高通股份有限公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 高通股份有限公司
- 当前专利权人： 高通股份有限公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 北京市金杜律师事务所
- 代理商 张宁
- 优先权： 17/030,087 2020.09.23 US
- 国际申请： PCT/US2021/044463 2021.08.04
- 国际公布： WO2022/066292 EN 2022.03.31
- 进入国家日期： 2023-03-07
- 主分类号： H01L27/02
- IPC分类号： H01L27/02
摘要：
MOS IC包括MOS逻辑单元，其在第一子单元和第二子单元中分别包括第一晶体管逻辑集合和第二晶体管逻辑集合。第一晶体管逻辑集合和第二晶体管逻辑集合在功能上彼此隔离。MOS逻辑单元包括在Mx层上的第一Mx层互连件集合，第一Mx层互连件集合在第一子单元和第二子单元之上在第一方向上延伸。第一Mx层互连件集合的第一子集耦合到第一子单元中的第一晶体管逻辑集合的输入/输出，并且未连接到第二晶体管逻辑集合。第一Mx层互连件集合的第一子集中的每个Mx层互连件从第一子单元的第一晶体管逻辑集合的对应输入/输出延伸到第二子单元，并
公开/授权文献
- CN116057705A 用于改进引脚可访问性的多位多高度单元 公开/授权日：2023-05-02
IPC分类:
