发明公开
- 专利标题： 一种低电容双向ESD保护器件及制作方法
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申请号： CN202310171355.6申请日： 2023-02-28
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公开(公告)号： CN115939132A公开(公告)日： 2023-04-07
- 发明人: 杨珏琳 , 宋文龙 , 张鹏 , 王志明 , 许志峰
- 申请人： 成都吉莱芯科技有限公司 , 江苏吉莱微电子股份有限公司
- 申请人地址： 四川省成都市中国(四川)自由贸易试验区成都高新区世纪城南路599号6栋5层505号;
- 专利权人： 成都吉莱芯科技有限公司,江苏吉莱微电子股份有限公司
- 当前专利权人： 成都吉莱芯科技有限公司,江苏吉莱微电子股份有限公司
- 当前专利权人地址： 四川省成都市中国(四川)自由贸易试验区成都高新区世纪城南路599号6栋5层505号;
- 代理机构： 成都行之智信知识产权代理有限公司
- 代理商 王伟
- 主分类号： H01L27/02
- IPC分类号： H01L27/02 ; H01L21/82
摘要：
本发明公开了一种低电容双向ESD保护器件及制作方法，属于电子技术以及集成电路静电放电保护领域，该ESD保护器件包括双向ESD结构、两个P型扩散区以及多个隔离槽；所述两个P型扩散区对称设置于双向ESD结构中，且每个所述P型扩散区中均设置有多个隔离槽。本发明在双向ESD结构中增加了两个P型扩散区以及多个隔离槽，可以有效地减少小信号传输下的感应电荷，达到极大降低金属层电容的目的，并且能够有效地实现双向导通。
公开/授权文献
- CN115939132B 一种低电容双向ESD保护器件及制作方法 公开/授权日：2023-05-16
IPC分类:
