发明公开
- 专利标题： 半导体结构及其形成方法、半导体布置
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申请号： CN202211067883.9申请日： 2022-09-01
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公开(公告)号： CN115910957A公开(公告)日： 2023-04-04
- 发明人: 顾旻峰 , 庄曜群 , 李政键 , 林景彬
- 申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹
- 专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹
- 代理机构： 北京德恒律治知识产权代理有限公司
- 代理商 章社杲; 李伟
- 优先权： 17/833,481 20220606 US 17/833,481 20220606 US
- 主分类号： H01L23/48
- IPC分类号： H01L23/48 ; H01L23/522 ; H01L21/768 ; H01L21/762 ; H01L23/528
摘要：
示例性半导体结构包括具有第一侧和第二侧的器件衬底。介电层设置在器件衬底的第一侧上方。贯通孔沿着第一方向延伸穿过介电层并且从第一侧穿过器件衬底延伸至第二侧。贯通孔具有沿着第一方向的总长度和沿着不同于第一方向的第二方向的宽度。总长度是介电层中的贯通孔的第一长度和器件衬底中的贯通孔的第二长度的总和。第一长度小于第二长度。保护环设置在介电层中和贯通孔周围。本发明的实施例还涉及形成半导体结构的方法、半导体布置。
IPC分类:
