发明公开
CN115706081A 半导体结构及其制作方法
审中-实审
- 专利标题： 半导体结构及其制作方法
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申请号： CN202110935534.3申请日： 2021-08-16
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公开(公告)号： CN115706081A公开(公告)日： 2023-02-17
- 发明人: 詹昂 , 刘昕融 , 李昆儒 , 侯朝钟 , 蔡傅守 , 施宇隆 , 陈知远 , 陈群翰 , 高苇昕 , 林世明
- 申请人： 联华电子股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹市
- 专利权人： 联华电子股份有限公司
- 当前专利权人： 联华电子股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹市
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 陈小雯
- 主分类号： H01L23/522
- IPC分类号： H01L23/522 ; H01L23/528 ; H01L21/768 ; H01L21/321
摘要：
本发明公开一种半导体结构及其制作方法，其中该半导体结构包括一第一介电层位于一基底上、一导电结构位于该第一介电层中，并且包括一端部，以及与该端部连接并且往远离该端部的方向延伸的一延伸部。一第二介电层位于该第一介电层上。一导电插塞，穿过该第二介电层并且与该导电结构的该延伸部直接接触。一虚设插塞，穿过该第二介电层并且与该导电结构的该端部直接接触。在剖面中，该虚设插塞的一宽度小于该导电插塞的一宽度的50％。
IPC分类:
