本发明公开了一种新型吸收区的红外探测器及其制备方法，涉及半导体技术领域，具体为一种新型吸收区的红外探测器，解决了现有的红外探测器存在量子效率低、器件性能较差的问题，所述红外探测器自上而下包括，顶接触层、势垒层、渐变过渡吸收层、底接触层、缓冲层、衬底，所述渐变过渡吸收层为阶梯式吸收层、阶梯与渐变吸收层或渐变吸收层的任一种；本发明采用调整吸收层材料组分、增加单个周期厚度或调节同周期的材料的比例的方式设计吸收层来解决少数载流子传输的问题，提供了一种量子效率高、器件性能好的红外探测器。