本申请涉及外延生长用基板及其制造方法。提供一种不会形成异常部a3且具有更高度的双轴结晶取向性的外延生长用基板及其制造方法。该制造方法包括：将金属基材及具有fcc轧制织构的铜层通过表面活性化接合进行层叠的工序；对铜层实施机械研磨的工序；以及进行铜层的取向化热处理的工序，其特征在于，将基于XRD测定的层叠前的铜层及层叠后的铜层的(200)面的比例分别设为I0Cu、I0CLAD，将层叠前的铜层及层叠后的铜层的(220)面的比例分别设为I2Cu、I2CLAD时，I0Cu＜20％，I2Cu＝70～90％，并且进行层叠以使I0CLAD＜20％，I2CLAD＝70～90％及I0CLAD－I0Cu＜13％。