本发明提供一种评估二次设备存储异常风险点的方法及系统，所述方法结合存储芯片单粒子翻转特点和二次设备典型拓扑结构确定所述具备存储单元的芯片中的待评估存储异常风险点，并基于其数据特性，采用不同方法确定其原始软错误率，根据其加固特性和地理位置对原始错误率进行修正，以及考虑其使用频率和负载率得到其动态软错误率，最后根据动态软错误率的大小确定其风险等级。所述方法和系统实现了对二次设备中的潜在存储异常点的量化评估，能够指导厂家开展芯片选型，促进生产厂家加强风险点预防改进，研发高可靠性的二次设备，从而提升电网安全稳定运行的能力。