发明公开
- 专利标题: 非晶质金属薄带、非晶质金属薄带的制造方法以及磁芯
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申请号: CN202210140981.4申请日: 2022-02-16
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公开(公告)号: CN114974782A公开(公告)日: 2022-08-30
- 发明人: 中村敦
- 申请人: 精工爱普生株式会社
- 申请人地址: 日本东京
- 专利权人: 精工爱普生株式会社
- 当前专利权人: 精工爱普生株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京
- 代理机构: 北京金信知识产权代理有限公司
- 代理商 姜克伟; 元靖雅
- 优先权: 2021-024949 20210219 JP
- 主分类号: H01F1/153
- IPC分类号: H01F1/153 ; H01F3/04 ; H01F41/02
摘要:
本发明提供一种即使在于磁通密度较高的条件下被测定的情况下,铁损以及励磁电力也较低的非晶质金属薄带及其制造方法以及磁芯。该非晶质金属薄带,其特征在于,具有多个由排列成列状的多个激光照射痕迹构成的激光照射痕迹列,在将相互邻接的所述激光照射痕迹列彼此的间隔设为d1、将所述激光照射痕迹列中的所述激光照射痕迹彼此的间隔设为d2、将所述激光照射痕迹的直径设为d3、将所述激光照射痕迹的深度设为d4、将所述激光照射痕迹的体积占有率V设为(1/d1×d3×d4)×(1/d2)×100时,所述激光照射痕迹的体积占有率V为0.00057%以上且0.010%以下。