一种多层陶瓷电容器用Mg-Ta基介质陶瓷及其低温制备方法
摘要:
本发明属于电子陶瓷及其制造领域,具体为一种多层陶瓷电容器用Mg‑Ta基介质陶瓷及其低温制备方法,通过提供一种与Mg‑Ta陶瓷具有高匹配性的玻璃改性剂,在MgO‑Ta2O5主料中引入一种改性剂A+12CO3‑B2+O‑C3+2O3‑SiO2(A=Li,K;B=MnO,CuO,BaO;C=B,Al),在显著降低烧结温度的同时提供‑100±30ppm/℃的负介电常数温度系数,并减少由于助烧剂带来的损耗恶化因素,制备出具有低损耗、低成本且具有良好工艺稳定性的应用于射频MLCC的介质材料。
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