- 专利标题: 一种多层陶瓷电容器用Mg-Ta基介质陶瓷及其低温制备方法
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申请号: CN202210472764.5申请日: 2022-04-29
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公开(公告)号: CN114773060B公开(公告)日: 2023-04-28
- 发明人: 曲明山 , 邢孟江 , 杨鸿宇 , 乔峰
- 申请人: 电子科技大学
- 申请人地址: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- 专利权人: 电子科技大学
- 当前专利权人: 电子科技大学
- 当前专利权人地址: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- 代理机构: 电子科技大学专利中心
- 代理商 闫树平
- 主分类号: C04B35/495
- IPC分类号: C04B35/495 ; C04B35/622 ; C04B35/638 ; H01G4/12
摘要:
本发明属于电子陶瓷及其制造领域,具体为一种多层陶瓷电容器用Mg‑Ta基介质陶瓷及其低温制备方法,通过提供一种与Mg‑Ta陶瓷具有高匹配性的玻璃改性剂,在MgO‑Ta2O5主料中引入一种改性剂A+12CO3‑B2+O‑C3+2O3‑SiO2(A=Li,K;B=MnO,CuO,BaO;C=B,Al),在显著降低烧结温度的同时提供‑100±30ppm/℃的负介电常数温度系数,并减少由于助烧剂带来的损耗恶化因素,制备出具有低损耗、低成本且具有良好工艺稳定性的应用于射频MLCC的介质材料。
公开/授权文献
- CN114773060A 一种多层陶瓷电容器用Mg-Ta基介质陶瓷及其低温制备方法 公开/授权日:2022-07-22
IPC分类: