本发明提供一种发光二极管外延片及其制备方法，所述发光二极管外延片包括：衬底，以及在衬底上依次层叠的缓冲层、三维成核层、二维恢复层、未掺杂的GaN层、N型GaN层、多量子阱层、P型电子阻挡层、P型非掺杂GaN层、P型Mg掺杂GaN层和P型接触层；P型电子阻挡层包括m个超晶格结构子层；超晶格结构子层为由nm个周期性排布的InxGa1‑xN/AlymGa1‑ymN所组成的超晶格结构；沿多量子阱层至所述P型非掺杂GaN层方向上，各个超晶格结构子层中的Al组分浓度先逐渐增高后逐渐降低。本发明解决了现有P型电子阻挡层与多量子阱层和P型GaN层间的晶格失配所带来的降低了发光二极管外延片的发光效率的问题。