- 专利标题: 封闭式液相法生长碳化硅的装置、系统和方法
-
申请号: CN202210277588.X申请日: 2022-03-21
-
公开(公告)号: CN114635184B公开(公告)日: 2023-03-31
- 发明人: 张泽盛 , 张广宇
- 申请人: 北京晶格领域半导体有限公司
- 申请人地址: 北京市顺义区中关村科技园区顺义区临空二路1号
- 专利权人: 北京晶格领域半导体有限公司
- 当前专利权人: 北京晶格领域半导体有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市顺义区中关村科技园区顺义区临空二路1号
- 代理机构: 北京格允知识产权代理有限公司
- 代理商 王文雅
- 主分类号: C30B19/00
- IPC分类号: C30B19/00 ; C30B29/36
摘要:
本发明提供了一种封闭式液相法生长碳化硅的装置、系统和方法,其中装置包括:坩埚主体、上坩埚盖、上传动装置和籽晶托;其中,所述上传动装置连接在所述上坩埚盖的外壁上,用于带动所述上坩埚盖进行上下运动和/或旋转运动;当所述上坩埚盖盖在所述坩埚本体上并进行旋转运动时,所述坩埚本体内部保持封闭状态和静止状态;所述籽晶托连接在所述上坩埚盖的内壁上,所述籽晶托可跟随所述上坩埚盖的运动而运动;当所述坩埚本体内盛放有原料液时,所述籽晶托的托盘可浮在液面上,且所述托盘可在原料液浮力的变化下上下浮动。本方案,采用封闭式装置,能够保证液面稳定性,提高晶体质量。
公开/授权文献
- CN114635184A 封闭式液相法生长碳化硅的装置、系统和方法 公开/授权日:2022-06-17