- 专利标题: 一种低介、低损耗硼化物LTCC材料及其制备方法
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申请号: CN202111619325.4申请日: 2021-12-28
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公开(公告)号: CN114180939B公开(公告)日: 2022-09-20
- 发明人: 吕学鹏
- 申请人: 南京工程学院
- 申请人地址: 江苏省南京市江宁科学园弘景大道1号
- 专利权人: 南京工程学院
- 当前专利权人: 南京工程学院
- 当前专利权人地址: 江苏省南京市江宁科学园弘景大道1号
- 代理机构: 镇江信众合一专利代理事务所
- 代理商 蔡士超
- 主分类号: C04B35/01
- IPC分类号: C04B35/01 ; C04B35/622 ; C04B35/626 ; C04B35/64
摘要:
本发明公开了一种低介、低损耗硼化物LTCC材料及其制备方法,该硼化物LTCC材料的化学表达式为ABB5O9,其中A=Li、Na;B=Sr、Ba、Ca。该硼化物LTCC材料制备工艺依次如下:水热法制备ABB5O9粉末、球磨、压制成型、烧结成瓷。本发明制备得到的ABB5O9基LTCC材料的主晶相为ABB5O9(A=Li、Na;B=Sr、Ba、Ca)单相,具有原料成本低、烧结温度低(700~825℃)、介电常数低(4.3~8.5、Qf值较高(10500~58850GHz)、制备工艺简单、重现性好等优点,且可以解决高频通讯中微波信号的时延问题,提高微波信号传输的稳定性,非常适合用作LTCC微波基板。
公开/授权文献
- CN114180939A 一种低介、低损耗硼化物LTCC材料及其制备方法 公开/授权日:2022-03-15