发明公开
- 专利标题： 基底、发光二极管外延片及其制造方法
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申请号： CN202111152302.7申请日： 2021-09-29
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公开(公告)号： CN114094001A公开(公告)日： 2022-02-25
- 发明人: 王群 , 葛永晖 , 王江波 , 董彬忠 , 李鹏
- 申请人： 华灿光电(浙江)有限公司
- 申请人地址： 浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号
- 专利权人： 华灿光电(浙江)有限公司
- 当前专利权人： 华灿光电(浙江)有限公司
- 当前专利权人地址： 浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号
- 代理机构： 北京三高永信知识产权代理有限责任公司
- 代理商 吕耀萍
- 主分类号： H01L33/64
- IPC分类号： H01L33/64 ; H01L33/02 ; H01L33/00
摘要：
本公开提供了一种基底、发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。所述基底包括平片衬底、以及位于所述平片衬底上的氧化铝层，所述平片衬底的与所述氧化铝层接触的一面上具有散热结构，所述散热结构在所述平片衬底的表面呈网格状布置，且所述散热结构为包括多个聚苯乙烯微球的空心球壳的结构。采用该基底可以提升发光二极管的散热，降低能耗，增加器件的高效工作能力。
公开/授权文献
- CN114094001B 基底、发光二极管外延片及其制造方法 公开/授权日：2023-12-01
IPC分类:
