本发明实施例提供一种存储器及其制作方法，存储器包括：衬底，所述衬底包括隔离结构和位于相邻所述隔离结构之间的有源区；第一栅极结构，所述第一栅极结构位于所述隔离结构内的第一凹槽内，所述第一栅极结构包括填充于所述第一凹槽的第一栅极，所述第一栅极包括填充于所述第一凹槽底部的第一导电层以及位于所述第一导电层上方的第二导电层，所述第一导电层的材料的功函数大于所述第二导电层的材料的功函数；第二栅极结构，所述第二栅极结构位于所述有源区的第二凹槽内，所述第二栅极结构包括填充于所述第二凹槽的第二栅极，所述第二栅极的材料与所述第二导电层的材料相同。本发明有利于减少位于隔离结构两侧的有源区之间的信号干扰。