一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：刻蚀第一区域的伪栅两侧且位于底部功能层上方的顶部功能层和第二功能层，形成初始凹槽；去除底部功能层；在顶部功能层下方的第二功能层与基底之间、相邻的第二功能层之间填充牺牲结构，并去除位于初始凹槽下方的第二功能层，或仅在顶部功能层下方的第二功能层与基底之间填充牺牲结构，形成第一凹槽；在第一凹槽中形成第一源漏掺杂层；去除伪栅形成栅极开口；去除牺牲结构和第一区域第二功能层形成第一通槽，去除第二区域第一功能层形成第二通槽；对栅极开口和第一通槽、第二通槽进行填充，形成第一器件栅极和第二器件栅极。本发明实施例满足对叉型栅极晶体管不同类型器件具有不同沟道层数量的需求。