本申请提供一种存储单元、存储器以及数据写入方法，所述存储单元包括：自旋轨道矩提供线；至少两个尺寸不同的存储结构，所述存储结构位于所述自旋轨道矩提供线上，进行写操作时，每一所述存储结构具有不同的写电流。本申请在条自旋轨道矩提供线上设置至少两个尺寸不同的存储结构，进行写操作时，每一所述存储结构具有不同的写电流，可以通过控制电流来得到不同的存储结构组合状态，并将存储结构的状态改变成写入态对应的状态，能够大幅度提高SOT‑MRAM的存储量和单位面积上的存储密度。