发明公开
- 专利标题： 一种可抑制准粒子中毒的超导数字电路结构及其制造方法
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申请号： CN202111194146.0申请日： 2021-10-13
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公开(公告)号： CN113937212A公开(公告)日： 2022-01-14
- 发明人: 林志荣 , 刘匡
- 申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 申请人地址： 上海市长宁区长宁路865号
- 专利权人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 当前专利权人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 当前专利权人地址： 上海市长宁区长宁路865号
- 代理机构： 上海光华专利事务所
- 代理商 赵琴
- 主分类号： H01L39/02
- IPC分类号： H01L39/02 ; H01L39/24
摘要：
本发明提供一种可抑制准粒子中毒的超导数字电路结构及其制造方法，电路结构包括衬底、超导结构和正常金属层；所述超导结构设置在所述衬底上，所述正常金属电连接所述超导结构的底电极，所述正常金属层用于抑制超导数字电路制造中产生的准粒子，所述准粒子为库伯对被拆开后的电子。本发明的超导数字电路能够有效的抑制超导数字电路中准粒子中毒。
IPC分类:
