本发明提供一种测试二维材料异质结中缺陷影响能量转移的方法，涉及半导体技术领域，包括：由下至上依次放置单层的下层过渡金属硫化物、隔离层及单层的上层过渡金属硫化物以制备异质结；对异质结进行若干次等离子体处理，以向异质结引入缺陷，且第一次处理时间等于0秒；每次对异质结进行等离子体处理后，均对异质结进行检测。通过设置隔离层能够使下层过渡金属硫化物与上层过渡金属硫化物之间产生间距，避免二者之间产生电荷转移影响测试结果的准确性。通过检测不同时间等离子处理后的异质结的能量转移情况，即可得出缺陷对于异质结能量转移的影响。