一种屏蔽栅沟槽场效应管制造方法及屏蔽栅沟槽场效应管，在制作屏蔽导体的过程中，沟槽侧壁以及外延上表面一直留存氧化层来保护外延层，当氧化层厚度因为制作屏蔽导体被蚀刻消耗后，再次沉积氧化层进行补充，补充后沟槽侧壁的氧化层厚度大于消耗之后的厚度，然后再继续制作屏蔽导体，据此消耗则补充的原则，结合场效应管电压需求进行仿真调试，得到对应电压需求的具有非渐变宽度屏蔽导体及非渐变厚度氧化层的场效应管。本发明提出的屏蔽栅沟槽场效应管结构能够实现较好的外延利用率，在与传统SGT具有相同崩溃电压的条件下，本发明同比可以实现更小的特征电阻，且本发明的结构能够在上下电极之间实现较小的Cgs电容。