Invention Publication
- Patent Title: 热式传感器装置
-
Application No.: CN202080034643.1Application Date: 2020-06-09
-
Publication No.: CN113811744APublication Date: 2021-12-17
- Inventor: 中野洋 , 松本昌大 , 小野瀬保夫 , 太田和宏
- Applicant: 日立安斯泰莫株式会社
- Applicant Address: 日本茨城县
- Assignee: 日立安斯泰莫株式会社
- Current Assignee: 日立安斯泰莫株式会社
- Current Assignee Address: 日本茨城县
- Agency: 北京尚诚知识产权代理有限公司
- Agent 龙淳
- Priority: 2019-111695 20190617 JP
- International Application: PCT/JP2020/022619 2020.06.09
- International Announcement: WO2020/255788 JA 2020.12.24
- Date entered country: 2021-11-09
- Main IPC: G01F1/692
- IPC: G01F1/692 ; G01K7/16 ; G01K17/00 ; G01N27/04 ; G01N27/14 ; G01N25/20

Abstract:
本发明提供能够通过抑制发热电阻体的热膨胀引起的塑性变形而减小发热电阻体的电阻变化,维持长期测定精度的热式传感器装置。在包括形成有开口部(2a)的基片(2)和具有以桥接开口部(2a)的方式层叠下层层叠膜(3a)、发热电阻体(5)和上层层叠膜(3b)的结构的膜片(4)的热式传感器装置(1)中,下层层叠膜(3a)的膜厚大于上层层叠膜(3b)的膜厚,下层层叠膜(3a)的平均热膨胀系数大于上层层叠膜(3b)的平均热膨胀系数,下层层叠膜(3a)由热膨胀系数不同的多个膜构成,所述多个膜中的热膨胀系数最大的膜形成在与下层层叠膜(3a)的厚度中心相比的下侧。
Public/Granted literature
- CN113811744B 热式传感器装置 Public/Granted day:2024-05-07
Information query