本公开内容的各方面提供了一种半导体器件并涉及垂直存储器件。半导体器件包括栅极层和绝缘层，栅极层和绝缘层沿垂直于半导体器件的衬底的第一方向交替地堆叠在衬底上的第一区域中。栅极层和绝缘层在第二区域中以台阶形式堆叠。半导体器件包括设置在第一区域中的沟道结构。沟道结构和栅极层以串联配置形成晶体管叠层，其中栅极层是晶体管的栅极。该半导体器件包括：触点结构，设置在第二区域中，以及第一虚设沟道结构，设置在第二区域中并围绕触点结构。第一虚设沟道结构被图案化为具有与沟道结构的第二形状不同的第一形状。