本发明提供一种触发电压可调的ESD保护器件及其制备方法，所述ESD保护结构包括：第一导电类型的深阱和功能器件层，所述功能器件层位于所述深阱内，并且所述功能器件层包括：第二导电类型的体区；第一导电类型的源极和漏极，所述源极上设置有隔离层；栅结构和开口部，所述开口部设置于所述体区内且位于所述栅结构与所述漏极之间；当静电正电流涌入时，所述体区的电势升高，使得在所述源极与所述体区之间达到开启阈值电压，引起寄生NPN双极晶体管导通；通过调节所述开口部的宽度，可以实现对触发电压的调制。本发明还提供一种触发电压可调的ESD保护器件的制备方法，其中所述功能器件层形成于深阱内，可以与实际CMOS三阱工艺相兼容。