发明授权
- 专利标题: 一种高压双极晶体管
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申请号: CN202110791642.8申请日: 2021-07-13
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公开(公告)号: CN113540222B公开(公告)日: 2022-10-21
- 发明人: 林和 , 牛崇实 , 洪学天 , 黄宏嘉
- 申请人: 弘大芯源(深圳)半导体有限公司 , 晋芯电子制造(山西)有限公司 , 晋芯先进技术研究院(山西)有限公司
- 申请人地址: 广东省深圳市宝安区航城街道三围社区航城大道159号航城创新创业园A3栋二层210; ;
- 专利权人: 弘大芯源(深圳)半导体有限公司,晋芯电子制造(山西)有限公司,晋芯先进技术研究院(山西)有限公司
- 当前专利权人: 弘大芯源(深圳)半导体有限公司,晋芯电子制造(山西)有限公司,晋芯先进技术研究院(山西)有限公司
- 当前专利权人地址: 广东省深圳市宝安区航城街道三围社区航城大道159号航城创新创业园A3栋二层210; ;
- 代理机构: 北京冠和权律师事务所
- 代理商 赵银萍
- 主分类号: H01L29/732
- IPC分类号: H01L29/732 ; H01L29/40 ; H01L23/29
摘要:
本发明提供了一种高压双极晶体管,包括:N型硅衬底,并在所述N型硅衬底形成有源区和包含N型等电位环的场区;在所述场区的表面设置有氧化硅层,所述氧化硅层的外表面设置有半绝缘多晶硅层,所述半绝缘多晶硅层的外表面依次设置有第一氮化硅层、第一低熔点玻璃层、第二低熔点玻璃层、第二氮化硅层;在所述有源区的表面,设置有介电层,所述介电层的表面设置有第三氮化硅层;通过在半绝缘多晶硅层上设置第一氮化硅层、第一低熔点玻璃层、第二低熔点玻璃层、第二氮化硅层有效保护地半绝缘多晶硅层免受水分,同时,设置适当厚度的氧化硅层,保护硅表面免受这些污染物的侵害,最终,提高高压晶体管的产品良率。
公开/授权文献
- CN113540222A 一种高压双极晶体管 公开/授权日:2021-10-22
IPC分类: