本申请公开了半导体器件及方法。公开了一种半导体器件及其形成方法，该半导体器件包括延伸到源极/漏极区域中，在源极/漏极区域的最顶表面下方的源极/漏极接触件。在一个实施例中，一种半导体器件包括：半导体衬底；第一沟道区域，在半导体衬底之上；第一栅极堆叠，在半导体衬底之上并且围绕第一沟道区域的四个侧；第一外延源极/漏极区域，与第一栅极堆叠和第一沟道区域相邻；以及第一源极/漏极接触件，耦合至第一外延源极/漏极区域，第一源极/漏极接触件的最底表面延伸到第一沟道区域的最顶表面下方。