发明授权
摘要：
本发明公开了一种单晶锆钛酸铅薄膜及其制备和应用。该薄膜是在掺铌钛酸锶基底上外延生长的大面积高质量的锆钛酸铅单晶薄膜，具有面积接近cm2级别的宏观尺寸，厚度可达微米级，且在铁电极化方向上锆离子和钛离子比例呈梯度变化。该单晶锆钛酸铅薄膜是通过将共沉淀反应和水热反应结合，在远低于居里温度的环境中制备得到的，工艺过程简单、可控，成本低，易于规模化生产，在铁电存储器、热释电传感器和电光探测器等领域具有广泛的潜在应用前景。
公开/授权文献
- CN113249789A 一种单晶锆钛酸铅薄膜及其制备和应用 公开/授权日：2021-08-13
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