- 专利标题： 基于阵列散热的三维集成结构及其制备方法和分析方法
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申请号： CN202110437642.8申请日： 2021-04-22
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公开(公告)号： CN113241331A公开(公告)日： 2021-08-10
- 发明人: 张剑 , 卢茜 , 向伟玮 , 曾策 , 董乐 , 徐诺心 , 赵明 , 叶惠婕 , 董东 , 朱晨俊 , 王文博
- 申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
- 申请人地址： 四川省成都市金牛区营康西路496号
- 专利权人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
- 当前专利权人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
- 当前专利权人地址： 四川省成都市金牛区营康西路496号
- 代理机构： 成都九鼎天元知识产权代理有限公司
- 代理商 刘世权
- 主分类号： H01L23/367
- IPC分类号： H01L23/367 ; H01L23/373 ; H01L21/48 ; G01N25/20
摘要：
本发明公开了一种基于阵列散热的三维集成结构及其制备方法和分析方法，该三维集成结构包括从上至下依次堆叠的芯片层、转接板层、封装层和母板层。本发明构建从芯片到封装、再到系统的高效传热路径，实现该三维集成结构原位、实时热分析，从而减小整个系统的热衰减，提升电子系统的可靠性。
公开/授权文献
- CN113241331B 基于阵列散热的三维集成结构及其制备方法和分析方法 公开/授权日：2022-11-15
IPC分类:
